Недостатки полупроводниковых ИС

Недостатки полупроводниковых ИС

Возможность создания ПТШ с граничной частотой свыше 100 ГТц (длина затвора 0,1. 0,05 мкм, точность изготовления выше 0,05 мкм) позволяет разрабатывать ИС миллиметрового диапазона, а также цифровые интегральные Схемы СВЧ для модемов многоканальных средств связи и ЭВМ высокой производительности. Технология полупроводниковых ИС СВЧ в значительной мере совместима с технологией быстро­действующих цифровых ИС и приборов с зарядоюй связью (ПЗС), что облегчает разработку многофункциональных устройств. В ряде случаев на частотах до 10 ГГц в полупроводниковых ИС с простой топологией используются более дешевые структуры, например кремний на сапфире. В ряде случаев на частотах до 10 ГГц в полупроводниковых ИС с простой топологией используются более дешевые структуры, например кремний на сапфире.

Перспективны исследования по синтезу пленок GaAs на кремнии. Недостатками полупроводниковых ИС являются: малый процент выхода годных Схем, обусловленный дефектами исходных полупроводниковых материалов и сложностью технологии производства (производство аналоговых ИС экономически оправ­дано, если доля выхода превышает 20.

1 звезда2 звезды3 звезды4 звезды5 звезд (Еще не оценили)
Загрузка ... Загрузка ...

Оставить комментарий

Почта (не публикуется) Обязательные поля помечены *

Вы можете использовать эти HTML теги и атрибуты: <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <strike> <strong>

Подтвердите, что Вы не бот — выберите самый большой кружок: